10月13日下午，西安电子科技大学马晓华教授在科技楼206会议室作主题为 “超越摩尔定律的微电子发展路径--第三代半导体器件的发展趋势”的线上学术讲座。讲座由微电子与物理学院执行院长刘利枚教授主持，我校部分师生通过线上和线下聆听了讲座。

马教授首先分析了半导体器件，特别是第三代半导体的研究现状。从信息技术发展、国家战略、芯片博弈和未来微系统发展等角度阐明了发展第三代半导体器件技术的重大意义。接着，马教授介绍了超宽禁带半导体技术的发展现状和技术瓶颈。强调了以氮化镓、氧化镓为代表的第三代半导体器件的发展方向，并分享了团队在该领域的研究成果，指出了研究面临的挑战。讲座最后，马教授阐述了责任担当、理想信念、学科基础、研究平台、持续坚持对微电子技术创新发展的意义，并呼吁“创新发展不仅要会打兔子更要会找兔子”，广大科研工作者要明确创新发展的“四知四明” ：知需求明方向、知全局明重点、知难点明细节、知能力明途径，助力集成电路产业发展，解决我国芯片领域的“卡脖子”难题。讲座之后，马教授对线上线下师生们的提问进行了细致的解答。（图/文 张煌文清）

主讲人介绍：

马晓华，西安电子科技大学微电子学院副院长，宽禁带半导体技术国家工程中心主任，教育部宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室主任，获教育部“长江学者特聘教授”和“万人计划”科技创新领军人才等称号，是我国首批“国防卓越青年基金支持计划”支持者。马晓华教授长期从事宽禁带半导体器件与芯片的研究和人才培养，是国内较早开展宽禁带半导体氮化镓(GaN)基微波器件和电路的研究者。先后主持“核高基”科技重大专项、“863计划”、自然科学基金重点项目、国家重点研发计划等国家级项目20余项。研究成果获国家科技进步二等奖1项，省部级一等奖6项；发表SCI论文260余篇，获国家发明专利授权140余件。